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3702半导体制造用设备工程；
3706半导体制造用设备工程；
3702半导体制造用设备工程；
3706半导体制造用设备工程；
0729半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器、用于复合材料生长的HTCVD（高温化学气相沉积）反应器、用于复合材料生长的PVT（物理气相传输）升华器、LPCVD（低压化学气相沉积）反应器；
0744半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器、高温晶片处理设备；
0729半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器、用于复合材料生长的HTCVD（高温化学气相沉积）反应器、用于复合材料生长的PVT（物理气相传输）升华器、LPCVD（低压化学气相沉积）反应器；
0744半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器、高温晶片处理设备；
0901操作软件、用于半导体制造的设备控制用软件；
0913外延涂覆的半导体晶片；
0901操作软件、用于半导体制造的设备控制用软件；
0913外延涂覆的半导体晶片；
0901磊晶反应器操作软件；
0913磊晶反应器及其组件；
0901磊晶反应器操作软件；
0913磊晶反应器及其组件；
0913防止计算机设备和其它电子设施的反馈电路的高频干扰装置、防止脉冲过载的装置；
0913防止计算机设备和其它电子设施的反馈电路的高频干扰装置、防止脉冲过载的装置；
0729用于复合材料生长的PVT（物理气相传输）升华器、用于复合材料生长的HTCVD（高温化学气相沉积）反应器、LPCVD（低压化学气相沉积）反应器、半导体制造设备，包括化学气相沉积和金属有机外延反应器，低挥发性半导体前体的鼓泡器；
0744半导体制造设备，包括化学气相沉积和金属有机外延反应器，低挥发性半导体前体的鼓泡器、高温晶片处理设备；
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0744半导体制造设备，包括化学气相沉积和金属有机外延反应器，低挥发性半导体前体的鼓泡器、高温晶片处理设备；
0901操作软件、用于半导体制造的设备控制用软件；
0913外延涂覆的半导体晶片；
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0913外延涂覆的半导体晶片；
3706半导体制造用设备工程；
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3706半导体制造机器和系统的安装、维护和修理；
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