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制造磁隧道结装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910404401.6
IPC分类号：H01L43/12
申请日期：
2019-05-16
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造磁隧道结装置的方法
申请号	CN201910404401.6	申请日期	2019-05-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-26	公开/公告号	CN110504356A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/12 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道水原市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金晥均;卢恩仙;李俊明;林佑昶;郑峻昊
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	刘灿强;尹淑梅

摘要

提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。

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