绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201510009655.X
IPC分类号：G01N3/22
申请日期：
2015-01-08
申请人：
东南大学

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著录项信息

专利名称	绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构
申请号	CN201510009655.X	申请日期	2015-01-08
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-05-06	公开/公告号	CN104596864A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N3/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N3/00 用机械应力测试固体材料的强度特性 G01N3/22 施加稳定的扭力（G01N 3/26，G01N 3/28优先）	IPC分类号	G;0;1;N;3;/;2;2查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市四牌楼2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	李伟华;王雷;张璐;周再发
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	柏尚春

摘要

本发明提出了一种绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构，用于测量绝缘衬底上厚膜硅材料的泊松比。测试结构由两部分组成：用于悬挂扭转结构的多晶硅固支梁和扭转结构。扭转结构由静电驱动的扭转杆和左右两个限位结构组成。扭转杆的中心是一个扭转梁，扭转梁的上端面连接到多晶硅固支梁的中心位置，形成悬挂‑扭转结构。利用静电力驱动扭转杆以扭转梁为轴做扭转运动。利用止挡结构控制扭转角度，形成一个特定的测试角。由扭转梁的长度、宽度和厚度尺寸、厚膜硅材料的杨氏模量以及所施加的静电力可以计算得到厚膜硅材料的泊松比。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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