多芯片封装结构及其封装方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610029512.6
IPC分类号：H01L25/00;H01L21/50
申请日期：
2006-07-28
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	多芯片封装结构及其封装方法
申请号	CN200610029512.6	申请日期	2006-07-28
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-01-30	公开/公告号	CN101114635
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	朱奇农;王津洲
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	李勇

摘要

本发明公开了新的半导体器件多芯片封装结构及其封装方法，该方法是将半导体晶片分割成小晶片，每个小晶片包括所需数量的管芯。在半导体晶片分割前进行裸芯级封装再布线层(RDL)处理，将2个或多个管芯当作一个管芯组，用再布线层(RDL)适当的连接管芯组中的单个管芯，合并管芯组中共用的引出端，或重新排布管芯组的引出端位置。因而各管芯组的总引出端数目少于各单个管芯引出端数目总和，管芯间没有间隔，提高了封装密度，简化了集成电路(IC)的组装工艺，降低了成本，提高了半导体器件的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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