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发光器件和发光器件封装

发明专利有效专利

申请号：
CN201110045154.9
IPC分类号：H01L33/22;H01L33/46
申请日期：
2011-02-22
申请人：
LG伊诺特有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光器件和发光器件封装
申请号	CN201110045154.9	申请日期	2011-02-22
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-21	公开/公告号	CN102194947A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形状，例如弯曲或截断的衬底〔2010.01〕 H01L33/22 粗糙表面，例如在外延层之间的界面〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;2;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;6查看分类表>
申请人	LG伊诺特有限公司	申请人地址	江苏省苏州市太仓市常胜北路168号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州乐琻半导体有限公司	当前权利人	苏州乐琻半导体有限公司
发明人	崔铉旼;金鲜京;崔云庆
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	夏凯;谢丽娜

摘要

本发明提供发光器件和发光器件封装。发光器件包括：透明衬底、发光结构、以及第一反射层。发光结构包括：被布置在衬底的顶表面上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层。第一反射层被布置在衬底的底表面上。衬底的底表面具有均方根(RMS)值为大约1nm至大约15nm的表面粗糙度。

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