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多通道天然气部分氧化制合成气烧嘴

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN02151238.8
  • IPC分类号:C01B3/34;C01B3/36;F23D14/48
  • 申请日期:
    2002-12-12
  • 申请人:
    华东理工大学;中国石化集团兰州设计院
著录项信息
专利名称多通道天然气部分氧化制合成气烧嘴
申请号CN02151238.8申请日期2002-12-12
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2003-07-23公开/公告号CN1431143
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B3/34IPC分类号C;0;1;B;3;/;3;4;;;C;0;1;B;3;/;3;6;;;F;2;3;D;1;4;/;4;8查看分类表>
申请人华东理工大学;中国石化集团兰州设计院申请人地址
上海市徐汇区梅陇路130号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华东理工大学,中国石化集团兰州设计院当前权利人华东理工大学,中国石化集团兰州设计院
发明人王辅臣;郭文元;龚欣;蒋自平;郭海峰;亢万忠;于广锁;林亚森;于遵宏
代理机构上海顺华专利代理有限责任公司代理人陈淑章
摘要
本发明公开了一种多通道天然气部分氧化制合成气烧嘴,由中心假件、气化剂导管、天然气导管、蒸汽导管和各导管相固接的相应喷口,以及冷却系统诸零部件组合而成。由于本发明的烧嘴设计了多通道结构,形成多股流体的强烈湍动,促进了氧气、天然气和蒸汽三者之间的快速均匀混合,从而提高天然气的转化率和气化炉出口合成气的有效组分含量,圆满地实现了天然气氧化制合成气。此外,通过提高气体流速和缩小喷口收缩角,降低了气化炉上部的燃烧强度;通过设置冷却系统,良好地保护了烧嘴,延长了烧嘴的使用寿命。

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