一种高压直流发光二极管芯片结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010532685.6
IPC分类号：H01L27/15;H01L33/00
申请日期：
2010-11-04
申请人：
上海蓝光科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高压直流发光二极管芯片结构及其制造方法
申请号	CN201010532685.6	申请日期	2010-11-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-23	公开/公告号	CN102468318A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/15 包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	上海蓝光科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海蓝光科技有限公司	当前权利人	上海蓝光科技有限公司
发明人	郝茂盛;张楠;潘尧波;齐胜利;朱广敏;李士涛
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	李仪萍

摘要

本发明公开了一种高压直流发光二极管芯片的制造方法及其结构。在外延生长前先将生长衬底定义为多个单元区间，清洗生长衬底；利用外延横向生长技术进行外延生长，使每个单元区间上生长的外延层相互电隔离，每个单元区间的外延层之间形成沟道；在外延层表面涂敷一层有机薄膜作为阻挡层；在所述沟道内填充介质材料；进行CMP平坦化处理，CMP抛光至阻挡层；清洗表面，去除阻挡层，最终平坦化外延表面；最后制作P、N电极将多个芯片单元串联在一起，形成由多个芯片单元串联而成的器件。本发明可以以增加串联芯片个数的方式增加芯片的输入功率，从而减小了pn结在大电流工作状态下的热损伤，防止了当流过pn结的电流密度过大时光效下降。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供