一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711182130.1
IPC分类号：H01L21/66;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/11551;H01L27/11578
申请日期：
2017-11-23
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法
申请号	CN201711182130.1	申请日期	2017-11-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-27	公开/公告号	CN107968058A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	肖为引;王猛;刘隆冬;苏恒;朱喜峰
代理机构	北京辰权知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法，所述方法包括提供一包括在硅衬底上形成氧化物‑氮化硅‑氧化物堆叠结构以及上面的硬掩膜衬底堆叠结构试验片；通过硬掩膜刻蚀、沟道孔刻蚀、干法去胶和湿法清洗工艺来刻蚀沟道孔，再通过湿法刻蚀，清除衬底上面所有的堆叠结构，但不损伤衬底，保留衬底上的刻蚀形貌；采用扫描电镜量测机台量测表征硅衬底全貌。本发明方法测量结果精确度高，且测量范围广、速度快，同时能在更宽的视野下观察沟道孔底部是否存在刻蚀不足或不均匀的情况，为后续沟道孔刻蚀工艺的持续改进提供了更准确有效的参考信息。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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