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扇出型封装工艺和扇出型封装结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010998344.1
  • IPC分类号:H01L21/48;H01L23/498;H01L23/31
  • 申请日期:
    2020-09-22
  • 申请人:
    甬矽电子(宁波)股份有限公司
著录项信息
专利名称扇出型封装工艺和扇出型封装结构
申请号CN202010998344.1申请日期2020-09-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-11-13公开/公告号CN111933532A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/48IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人甬矽电子(宁波)股份有限公司申请人地址
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人甬矽电子(宁波)股份有限公司当前权利人甬矽电子(宁波)股份有限公司
发明人何正鸿;徐玉鹏
代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人张洋
摘要
本发明的实施例提供了一种扇出型封装工艺和扇出型封装结构,涉及半导体封装技术领域。该封装工艺包括在电子器件的四周形成封装体;其中,第一连接端露出封装体。在电子器件的正面设置第一绝缘层,第一绝缘层内设有第一线路,且第一连接端与第一线路连接。在电子器件的背面设置第二绝缘层,第二绝缘层内设有第二线路,且第二线路与第一线路电连接。在第一线路和/或第二线路上设置连接焊点,连接焊点露出第一绝缘层和/或第二绝缘层表面。该扇出型封装工艺可以实现在电子器件的双面布设线路,提高集成度,增加模块功能多样性。

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