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制造半导体结构的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201811314087.4
  • IPC分类号:H01L21/027;H01L23/544
  • 申请日期:
    2018-11-06
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称制造半导体结构的方法
申请号CN201811314087.4申请日期2018-11-06
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2019-05-21公开/公告号CN109786222A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/027IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人李雨青;方玉标
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人黄艳
摘要
本公开实施例提供制造半导体结构的方法。此方法提供一基底。根据第一层掩模执行第一光刻,以在基底上方的一层的第一区域上形成具有第一间距的多个第一光子晶体。根据第二层掩模执行第二光刻,以在该层的第二区域上形成具有第二间距的多个第二光子晶体。提供光照射第一光子晶体和第二光子晶体。接收由第一光子晶体和第二光子晶体所反射或是穿透过第一光子晶体和第二光子晶体的光。分析所接收的光,以检测对应于第一层掩模的第一光子晶体和对应于第二层掩模的第二光子晶体之间的重叠位移。

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