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半导体器件的互连线结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201721602036.2
IPC分类号：H01L23/538;H01L21/768
申请日期：
2017-11-24
申请人：
睿力集成电路有限公司

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件的互连线结构
申请号	CN201721602036.2	申请日期	2017-11-24
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/538 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/538 制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	睿力集成电路有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	智云

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件的互连线结构，介质层具有一凹槽，凹槽的侧壁和底壁之间的空隙夹角大于等于90°，金属互连线填充在凹槽中，金属互连线无空隙方式填满空隙夹角，避免了所形成的金属互连线侧处存在一定空洞的问题，提高了所形成的金属互连线及半导体器件的可靠性。

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