一种单芯片Z轴线性磁电阻传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN201310409446.5
IPC分类号：G01R33/09
申请日期：
2013-09-10
申请人：
江苏多维科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种单芯片Z轴线性磁电阻传感器
申请号	CN201310409446.5	申请日期	2013-09-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-02	公开/公告号	CN103901363A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/09 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/02 测量磁场或磁通量的方向或大小（G01R 33/20优先）〔4〕 G01R33/06 采用电磁器件 G01R33/09 磁电阻器件〔6〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;0;9查看分类表>
申请人	江苏多维科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港市保税区广东路7号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏多维科技有限公司	当前权利人	江苏多维科技有限公司
发明人	詹姆斯·G·迪克
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	孙仿卫;李艳

摘要

本发明公开了一种单芯片Z轴线性磁阻传感器，该传感器包括基片、磁电阻传感元件以及通量引导件，磁电阻传感元件相互电连接形成电桥的推臂和挽臂，推臂和挽臂相间隔排列，并且推、挽臂上的磁电阻传感元件分别位于通量引导件下方的两侧，各磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相同，均沿X轴方向。Z轴方向的外加磁场通过通量引导件转变为X轴方向的磁场分量，位于通量引导件下方的磁电阻传感元件便能检测到此分量。该传感器具有以下优点：体积小、制作简单、便于封装、灵敏度高、线性度好、工作范围宽、低偏移、温度补偿功能好以及适用于高强度磁场等。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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