一种制造半导体器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610025382.9
IPC分类号：G05B13/04;G05B19/048
申请日期：
2006-03-28
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种制造半导体器件的方法
申请号	CN200610025382.9	申请日期	2006-03-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-03	公开/公告号	CN101046681
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G05B13/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G05 控制；调节 G05B 一般的控制或调节系统；这种系统的功能单元；用于这种系统或单元的监视或测试装置（应用流体作用的一般流体压力执行器或系统入F15B；阀门本身入F16K；仅按机械特征区分的入G05G；传感元件见相应小类，例如G12B，G01、H01的小类；校正单元见相应的小类，例如H02K） G05B13/00 自适应控制系统，即系统按照一些预定的准则自动调整自己使之具有最佳性能的系统（G05B 19/00优先；计算机零部件入G06F 15/18）〔3〕 G05B13/02 电的 G05B13/04 包括使用模型或模拟器的〔3〕	IPC分类号	G;0;5;B;1;3;/;0;4;;;G;0;5;B;1;9;/;0;4;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	简维廷;杨斯元
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	徐谦;杨红梅

摘要

一种制造半导体器件或其它类型器件和/或实体的方法。所述方法包括提供与半导体器件制造相关的过程(例如蚀刻、沉积、注入)。所述方法包括采集多个信息(例如数据)，所述信息具有与过程相关的至少一个参数在确定周期内的非单调趋势。所述方法包括处理具有非单调趋势的多个信息。所述方法包括从所处理的具有非单调趋势的多个信息检测递增或递减的趋势。所述方法包括基于至少所检测到的递增或递减的趋势而执行动作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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