一种气体敏感阵列传感器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200720087770.X
IPC分类号：G01N27/00;G01N27/12;G01N27/407
申请日期：
2007-10-26
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种气体敏感阵列传感器
申请号	CN200720087770.X	申请日期	2007-10-26
法律状态	放弃专利权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0;;;G;0;1;N;2;7;/;1;2;;;G;0;1;N;2;7;/;4;0;7查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	谢长生;柏自奎;胡木林;张顺平;曾大文
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	曹葆青

摘要

本实用新型公开了一种气体敏感阵列传感器，其结构为：四个测试电极分别位于基片的对边上，阵列加热器正电极及其回路电极分别位于基片的另一条对边上；测试电极的回路电极分别位于二对测试电极之间，并相互平行。测试电极的回路电极和阵列加热器正电极的回路电极连接而成‘ㄈ’形，作为公共电极；在阵列加热器正电极与阵列加热器正电极的回路电极之间的基片上印刷有加热膜，在各测试电极与其公共电极之间的基片上分别印刷有金属氧化物敏感层，在基片的中心安装有轴，轴穿过加热膜，并固定在基座的中心，基片与基座留有间隙；基座上还设有至少六个接线柱。该气体敏感阵列传感器生产成本低、功耗低、机械稳定性好、各单元具有不同的气体敏感特性，制备工艺有助于大批量生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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