带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200410074343.9
IPC分类号：H01L21/00;B81B5/00
申请日期：
2004-09-10
申请人：
北京工业大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺
申请号	CN200410074343.9	申请日期	2004-09-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-03-02	公开/公告号	CN1588618
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;B;8;1;B;5;/;0;0查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	徐晨;杨道虹;沈光地;赵慧;赵林林;霍文晓;邹德恕;陈建新;高国
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	张慧

摘要

带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺，涉及半导体静电键合技术领域。现有技术在可动的结构对应的玻璃上淀积一层绝缘层，减少可动结构与玻璃衬底的“粘附”问题，无法消除静电力对可动结构的破坏作用。带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上，有金属电极的一面在上；再将上述清洗好的硅片置于玻璃上；硅片上的悬空可动敏感结构与玻璃上的金属电极上下对准；硅片和玻璃上的金属电极接同一正极，两者电位相等，玻璃的下表面接负极，在超静环境中加热，加电压，将硅片上除悬空可动敏感结构部分以外的其余部分与玻璃键合在一起。本发明屏蔽了静电吸引力对可动结构的作用，解决了静电力对不需要键合的悬空可动微结构部分的破坏这个难题，提高了成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供