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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810470252.9
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L21/335
  • 申请日期:
    2018-05-17
  • 申请人:
    苏州汉骅半导体有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201810470252.9申请日期2018-05-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-10-12公开/公告号CN108649071A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人苏州汉骅半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州汉骅半导体有限公司当前权利人苏州汉骅半导体有限公司
发明人倪贤锋;范谦;何伟
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本申请提供一种半导体器件及其制造方法,包括:在衬底上依次形成缓冲层和势垒层,其中,所述缓冲层与所述势垒层之间形成有二维电子气;刻蚀所述势垒层的源极区域和漏极区域,以在所述缓冲层上形成沟槽,并在所述沟槽上形成掺杂层;在所述势垒层与所述掺杂层上形成钝化层,并对所述钝化层进行刻蚀,暴露出部分势垒层,所述部分势垒层与所述掺杂层相接触;将所述离子掺杂到与所述部分势垒层相接触的部分缓冲层中。上述半导体器件及其制造方法,通过对部分缓冲层进行离子掺杂,减少二维电子气与掺杂层之间的接触电阻,从而减少器件的导通电阻。

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