半导体制造方法及其装置

1、一种半导体制造方法，在半导体制造线的各制造工序加工处 理半导体基片，其特征在于：
对被搬入在各制造工序布置的制造装置中的半导体基片，分别在 加工处理前和加工处理后取得图像数据，根据加工处理前的图像数据 或者合格品的掩模图像数据以及加工处理后的图像数据，检测上述制 造装置的处理条件引起的缺陷，根据该检测结果对上述制造装置的处 理条件进行更改控制，对半导体基片进行加工处理。
2、一种半导体制造方法，在半导体制造线的各制造工序加工处 理半导体基片，其特征在于：
对被搬入上述半导体流水线的光刻工序中的上述半导体基片，至 少在加工处理前和加工处理后分别取得图像数据，根据这些图像数 据，检测在上述光刻工序布置的涂敷光致抗蚀剂的涂敷机、形成图形 的曝光机、进行显影的显影机的各种处理条件所引起的缺陷，根据该 检测结果，对上述涂敷机、上述曝光机、上述显影机中的至少一个的 处理条件进行更改控制，来加工处理上述半导体基片。
3、如权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于上述光刻 工序具有以下工序：
光致抗蚀剂涂敷工序，对上述半导体基片涂敷光致抗蚀剂；
曝光工序，对上述光致抗蚀剂进行曝光，形成图形；以及
显影工序，对上述光致抗蚀剂进行显影，
在上述光致抗蚀剂涂敷工序中，根据光致抗蚀剂涂敷前和涂敷后 的图像数据的差图像数据，检测在光致抗蚀剂工序布置的涂敷机的处 理条件所引起的缺陷，并且根据上述曝光、显影工序后的图像数据与 预先存储的显影后的合格品图像数据的差图像数据，检测曝光机和显 影机中的某一个的处理条件所引起的缺陷。
4、如权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于：在上述 各工序中若判断上述半导体基片是不合格品、且能够修正，则上述半 导体基片通过返修工序把不合格的光致抗蚀剂剥离后，投入到上述光 致抗蚀剂涂敷工序。
5、如权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于：在上述 各工序中上述半导体基片已多次被判断是不合格品时，把上述半导体 基片从上述工序中排出。
6、一种半导体制造系统，布置在半导体流水线的各制造工序上， 用于对半导体基片进行各种加工，其特征在于具有：
缺陷检查部，用于对搬入在上述各制造工序布置的上述各半导体 制造装置的至少一台中的半导体基片，取得搬入前和搬入后的图像数 据；以及
控制装置，用于根据由上述缺陷检查部取得的图像数据，求出作 为上述对象的半导体制造装置的处理条件所引起的缺陷，对该半导体 制造装置的处理条件进行控制。
7、如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于：上述各 种半导体制造装置包括：在上述半导体流水线的光刻工序布置的涂敷 光致抗蚀剂的涂敷机、形成图形的曝光机、以及进行显影处理的显影 机，
上述缺陷检查部在涂敷上述光致抗蚀剂之前及其之后，上述控制 装置根据上述第1和第2检查部的图像数据的差图像数据，检测由上 述涂敷机的处理条件所引起的缺陷，并且，根据上述第3检测部的图 像数据和预先记录的显影后的合格品图像数据的差图像数据，检测上 述曝光机和上述显影机中的某一个的工作条件所引起的缺陷，对上述 涂敷机、上述曝光机和上述显影机的处理条件进行更改控制。
8、如权利要求7所述的半导体制造系统，其特征在于：上述缺 陷检查部包括：用于取得涂敷上述光致抗蚀剂之前的上述半导体基片 的图像的第1检查部、以及用于取得上述显影机的显影处理后的上述 半导体基片的图像的第3检查部，
上述控制装置根据由上述第1检查部取得的涂敷上述光致抗蚀 剂之前的图像数据、及由上述第3检查部取得的上述显影处理后的图 像数据或者预先存储的显影之后的掩模图像数据，检查在第1次上述 光刻工序的处理结果，根据该检查结果来对上述涂敷机、上述曝光机 和上述显影机的处理条件进行更改控制。
9、如权利要求要7所述的半导体制造系统，其特征在于：上述 控制装置，对作为上述涂敷机的处理条件的温度、上述光致抗蚀剂滴 向上述半导体基片的滴下量、上述半导体基片的旋转速度、及光致抗 蚀剂切削宽度中的至少一项进行反馈控制，
作为上述曝光机的处理条件，对曝光量、散焦、掩模差异、上述 掩模的遮挡叶片、上述掩模上的缺陷、双重曝光、未曝光、定位等至 少一项进行反馈控制，
作为显影机的处理条件，对显影液的容量、温度进行反馈控制。
10、如权利要求7所述的半导体制造系统，其特征在于：在上述 第1检查部和第3检查部之间，布置用于对判断为不合格的上述半导 体基片的光致抗蚀剂进行剥离处理的返修装置，用返修装置对不合格 的半导体基片的光致抗蚀剂进行剥离之后，通过上述第1检查部再次 投入上述涂敷机。
11、如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于：上述各 种半导体制造装置包括：构成上述半导体流水线的光刻工序的涂敷光 致抗蚀剂的涂敷机、形成图形的曝光机、显影处理的显影机、以及对 不合格的半导体基片的光致抗蚀剂进行剥离的返修装置，
上述检查部包括能检查半导体基片整个面的宏观检查和详细检 查的检查结果，它以搬运机械手为中心把收容上述半导体基片的晶片 盒、上述涂敷机、上述曝光机、上述显影机、和上述返修装置布置成 放射状。
12、如权利要求11所述的半导体制造系统，其特征在于：在上 述各种半导体装置中还加入了腐蚀装置，上述腐蚀装置用于腐蚀处理 由上述显影机进行了显影处理的半导体基片。
13、如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于：在上述 半导体流水线上，取代上述半导体制造，定期投入校正用的半导体基 片，这样由上述控制装置对在半导体流水线的各制造工序布置的半导 体制造装置进行自动检修。
14、如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于：上述控 制装置在根据由上述缺陷检查部取得的图像数据，不能确定作为上述 对象的半导体制造装置的处理条件所引起缺陷时，选定一种根据该缺 陷的特征量来进行详细检查的检查方法，利用布置在流水线外的边缘 检查装置、膜厚检查装置、分光检查装置、线宽测量装置、重合检查 装置和显微检查装置中的某一种来进行详细检查。

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