一种掺镱晶体及其生长方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201611218362.3
IPC分类号：C30B29/34;C30B28/02;C30B15/00;H01S3/109;H01S3/16
申请日期：
2016-12-26
申请人：
山东大学

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专利名称	一种掺镱晶体及其生长方法和应用
申请号	CN201611218362.3	申请日期	2016-12-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-06	公开/公告号	CN106801257A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/34 硅酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;4;;;C;3;0;B;2;8;/;0;2;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;H;0;1;S;3;/;1;0;9;;;H;0;1;S;3;/;1;6查看分类表>
申请人	山东大学	申请人地址	山东省济南市历城区山大南路27号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东大学	当前权利人	山东大学
发明人	王正平;张栩朝;郭世义;于法鹏;许心光;赵显
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	杨树云

摘要

本发明涉及一种掺镱晶体及其生长方法和应用，一种掺镱晶体，所述掺镱晶体的分子式为Ca3‑3xYb3xRGa3Si2O14，R为Nb离子或Ta离子，Yb离子的掺杂浓度为0.1–50at.％。上述掺镱晶体同时具有激光发射和非线性光学效应，是一类性能优良的自倍频激光晶体。与激光晶体、非线性光学晶体两者组合而成的激光器相比，由上述掺镱晶体制成的自倍频绿光激光器体积更小，结构更加紧凑，生产成本大大降低，同时也简化了加工和装配环节，提高了生产效率。

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