一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201810628308.9
IPC分类号：H01L31/108;H01L31/028
申请日期：
2018-06-19
申请人：
复旦大学

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专利名称	一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片
申请号	CN201810628308.9	申请日期	2018-06-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-27	公开/公告号	CN108899389A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/108 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/108 为肖特基型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;8查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	曹高奇;仇志军;丛春晓;邵秀梅;李雪;胡来归;龚海梅
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;陆尤

摘要

本发明属于探测器芯片技术领域，具体为一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片在其磷化铟（InP）衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO2）介质层、石墨烯层、上金属电极和下金属电极。本发明一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯的光学透过性都极好，能够增加InGaAs层材料的光吸收；此外，InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该InGaAs探测器能够实现紫外至近红外的宽光谱探测。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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