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一种半片多晶太阳电池的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811227637.9
  • IPC分类号:H01L31/18;B23K26/38
  • 申请日期:
    2018-10-22
  • 申请人:
    浙江光隆能源科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种半片多晶太阳电池的制备方法
申请号CN201811227637.9申请日期2018-10-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-03-29公开/公告号CN109545886A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;2;3;K;2;6;/;3;8查看分类表>
申请人浙江光隆能源科技股份有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市海宁市斜桥镇新建路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江光隆能源科技股份有限公司当前权利人浙江光隆能源科技股份有限公司
发明人朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣
代理机构嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙)代理人俞培锋
摘要
本发明提供了一种半片多晶太阳电池的制备方法。它解决了现有制造方法的步骤过于简单,无法保证半电池片的质量,产品质量差等技术问题。本半片多晶太阳电池的制备方法,包括如下步骤:a、对外购的硅片进行清洗和检测;b、将检验好的硅片放入碱性溶液中进行制绒;c、将石英舟放入扩散炉中进行扩散;d、将扩散好的硅片放入刻蚀机中进行刻蚀;e、将刻蚀好的硅片放入氢氟酸中浸泡;f、将石墨舟放入PECVD装置中进行镀膜;g、将镀膜好的硅片采用丝网印刷的方式进行印刷;h、将印刷好的硅片放入烧结炉中进行烧结;i、将硅片篮放到钝化处理装置中进行钝化;j、将钝化好的电池片通过激光切片机进行切割。本发明具有产品质量好的优点。

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