磁电转换元件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01800841.0
IPC分类号：--
申请日期：
2001-04-05
申请人：
旭化成电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	磁电转换元件及其制造方法
申请号	CN01800841.0	申请日期	2001-04-05
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-08-28	公开/公告号	CN1366716
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旭化成电子株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旭化成电子材料元件株式会社	当前权利人	旭化成电子材料元件株式会社
发明人	福中敏昭
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

本发明提供了磁电转换元件及其制造方法。其侧面上形成有导电层(10)的绝缘性基板的上表面上有感磁部(3)和内部电极(2)，该绝缘性基板的绝缘部(9)和导电层是由烧结体来形成，该导电层的烧结体以1600℃以上的高熔点金属和陶瓷粉为主要成分，高熔点金属以10%以上90%以下的比率包含在导电层的烧结体中，因此可以提供极其小型、薄型而且不破坏元件就能进行安装时的是否良好的判定的磁电转换元件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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