氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810010444.8
IPC分类号：C01B31/02;C01B33/12;H01B7/00
申请日期：
2008-02-20
申请人：
中国科学院金属研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
申请号	CN200810010444.8	申请日期	2008-02-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-08-26	公开/公告号	CN101513997
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/02 （转入C01B 32/05，C01B 32/15-C01B 32/198）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;2;;;C;0;1;B;3;3;/;1;2;;;H;0;1;B;7;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市沈河区文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	刘畅;张艳丽;王兆钰;成会明
代理机构	沈阳科苑专利商标代理有限公司	代理人	张志伟

摘要

本发明涉及纳米电缆的合成技术，特别提供了一种电弧放电法原位合成无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，起弧放电后，石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发，原位合成出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点，是纳米电缆及场效应管等纳米器件中绝缘层的理想材料；此外，所研制纳米电缆的芯体仅由一根或几根单壁碳纳米管构成，将有利于单壁碳纳米管纳米尺度效应的发挥并提高所构建纳米器件的效率和灵敏度等性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供