一种集成式激光电离效应模拟系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201711131410.X
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2017-11-15
申请人：
中国工程物理研究院电子工程研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种集成式激光电离效应模拟系统
申请号	CN201711131410.X	申请日期	2017-11-15
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-04-13	公开/公告号	CN107907813A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院电子工程研究所	申请人地址	四川省绵阳市游仙区绵山路64号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院电子工程研究所	当前权利人	中国工程物理研究院电子工程研究所
发明人	李沫;孙鹏;黄锋;汤戈;王小凤;代刚;张健
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	蒋斯琪

摘要

本发明公开了一种集成式激光电离效应模拟系统，该系统将调整底座、光源、衰减与光束调整模块、显微观察模块及测试与存储模块一体化集成，光源可选择输出266nm、532nm和1064nm三个波段的激光，可满足不同半导体器件辐射电离效应模拟的需求，整个系统具有方便、快捷、准确、安全性高等特点，可有效降低半导体器件的试验成本，提高试验效率，缩短抗辐射加固的设计周期。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供