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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高亮度发光二极管组件

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200920219829.5
  • IPC分类号:F21S2/00;F21V7/04;F21V23/00
  • 申请日期:
    2009-10-21
  • 申请人:
    普照光电科技股份有限公司
著录项信息
专利名称高亮度发光二极管组件
申请号CN200920219829.5申请日期2009-10-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号F21S2/00IPC分类号F;2;1;S;2;/;0;0;;;F;2;1;V;7;/;0;4;;;F;2;1;V;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人普照光电科技股份有限公司申请人地址
中国台湾台北县深坑乡北深路三段155巷1号10楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人普照光电科技股份有限公司当前权利人普照光电科技股份有限公司
发明人陈元杰;蔡浚名
代理机构北京正理专利代理有限公司代理人王德桢
摘要
本实用新型涉及一种高亮度发光二极管组件,它包括有一金属基板、至少一发光二极管,以及至少一封装层;其金属基板的板面上设有至少一凹坑供容置发光二极管,于预定的凹坑底部形成有至少一反射凸部,另于金属基板的板面上方设有电路架构供各发光二极管与外部电源电性连接,各封装层是相对填覆在各发光二极管外。在金属基板的凹坑壁面及反射凸部的反射作用下,明显改善发光二极管的光线照射效果,增加发光二极管组件的亮度,以及在金属基板的导热作用下,可加速发光二极管的废热排放。

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