集成制造高压元件与低压元件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02124780.3
IPC分类号：--
申请日期：
2002-06-25
申请人：
联华电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	集成制造高压元件与低压元件的方法
申请号	CN02124780.3	申请日期	2002-06-25
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-16	公开/公告号	CN1430258
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	范永洁
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	黄小临;王志森

摘要

一种集成制造高压元件与低压元件的方法，包括：提供具有一层图案化绝缘层的基底；在图案化绝缘层所裸露的基底上，形成隔离高压元件区与低压元件区的第一隔离区以及位于切割区中的第二隔离区；在基底上方形成图案化光阻；在图案化光阻所裸露的绝缘层下方的基底中形成掺杂区；在第二隔离区中，形成凹槽；依序剥除图案化光阻和图案化绝缘层；进行趋入步骤，形成接合区；以凹槽为对准标记，在高压元件区以及低压元件区的基底上，分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；在低压元件区中形成轻掺杂漏极区；在第一与第二栅极结构的侧壁上形成间隙壁；以及在第一与第二栅极结构的间隙壁和第一隔离结构所裸露的基底中，分别形成重掺杂区和源极/漏极区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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