复合型薄膜磁头

发明专利无效专利

申请号：
CN200510059932.4
IPC分类号：G11B5/31
申请日期：
2005-04-01
申请人：
TDK株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	复合型薄膜磁头
申请号	CN200510059932.4	申请日期	2005-04-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-05	公开/公告号	CN1677500
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11B5/31 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11B 基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储（以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D 9/00；利用有机械标记的带子，例如，穿孔纸带或利用单元记录卡，如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备入G06K；将数据从记录载体的一种类型转移到另一种类型上的入G06K 1/18；将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B 1/20；唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R） G11B5/00 借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体（G11B 11/00优先）〔4〕 G11B5/127 磁头的结构或制造，例如电感应的〔4〕 G11B5/31 应用薄膜的（G11B 5/33优先）〔4〕	IPC分类号	G;1;1;B;5;/;3;1查看分类表>
申请人	TDK株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TDK株式会社	当前权利人	TDK株式会社
发明人	清野浩;蜂须贺望;猿木俊司;笠原宽显
代理机构	北京北翔知识产权代理有限公司	代理人	陈霁

摘要

提供一种复合型薄膜磁头，包括：具有上屏蔽层、下屏蔽层和位于所述上屏蔽层和所述下屏蔽层之间的磁阻层的磁阻读取头元件，其中在磁阻层读出电流通过所述上屏蔽层和所述下屏蔽层在与所述磁阻层的表面垂直的方向流过；以及在所述磁阻读取头元件上形成的感应式写入头元件，所述感应式写入头元件具有上磁极层、记录间隙层、其端部通过所述记录间隙层与所述上磁极层的一个端部相对的下磁极层、和以在所述上磁极层和所述下磁极层之间穿过的方式形成的写线圈；所述写线圈与所述上屏蔽层之间的电容C12被调到0.1pF或更小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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