一种用于抑制电流镜漏电流的CMOS集成电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201710012602.2
IPC分类号：H01L27/092
申请日期：
2017-01-09
申请人：
华润半导体（深圳）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种用于抑制电流镜漏电流的CMOS集成电路
申请号	CN201710012602.2	申请日期	2017-01-09
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106783852A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/092 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕 H01L27/092 互补MIS场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;9;2查看分类表>
申请人	华润半导体（深圳）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华润微集成电路（无锡）有限公司	当前权利人	华润微集成电路（无锡）有限公司
发明人	刘珍利;周盛
代理机构	北京正理专利代理有限公司	代理人	付生辉;张雪梅

摘要

本发明公开一种用于抑制电流镜漏电流的CMOS集成电路，包括电流镜放大电路和抑制电流镜漏电流电路。本发明进一步公开了一种含上述抑制电流镜漏电流电路的环境光传感器电路。本发明通过设置抑制电流镜漏电流电路，为电流镜放大电路的第一级电流镜漏电流和第二级电流镜漏电流提供了其他通路，使电流镜放大电路的第一级电流镜漏电流和第二级电流镜漏电流不会进入电流镜放大电路的第三级电流镜的输入端，从而不会被第三级电流镜放大并输出。因此，保证了电流镜放大电路的低噪声系数，使得电路镜放大电路可以适应更高的要求。

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