用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚

发明专利有效专利

申请号：
CN201710192431.6
IPC分类号：C30B29/36;C30B25/02
申请日期：
2017-03-28
申请人：
山东大学

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专利名称	用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚
申请号	CN201710192431.6	申请日期	2017-03-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-07-21	公开/公告号	CN106968017A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2查看分类表>
申请人	山东大学	申请人地址	江苏省苏州市昆山市开发区太湖路东侧、景王路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美尔森先进石墨（昆山）有限公司	当前权利人	美尔森先进石墨（昆山）有限公司
发明人	杨祥龙;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明是关于一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚，该坩埚的坩埚体的侧壁采用低密度的石墨材料制成，使得坩埚和碳化硅生长组分源料吸附的杂质元素氮，随着生长腔内温度的升高，氮杂质逐渐解吸附，在坩埚内部形成较高的氮气分压，进而与坩埚外部环境形成一定浓度差，氮杂质很容易通过低密度的坩埚体侧壁扩散出去。进一步的，该坩埚体侧壁中还设计有夹层腔，夹层腔中放置的粉料可以在夹层腔中提供生长碳化硅晶体用的生长组分蒸汽压，并且夹层腔中的生长组分蒸汽压等于或者略大于生长腔内的生长组分蒸汽压,避免了生长腔中生长组分蒸汽压直接从低密度石墨材料的侧壁扩散至生长腔外部，进而有效促进低杂质含量的高纯半绝缘碳化硅晶体的生长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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