圆筒状蒸发源

发明专利有效专利

申请号：
CN201410063566.9
IPC分类号：C23C14/32;C23C14/34
申请日期：
2014-02-25
申请人：
苏舍梅塔普拉斯有限责任公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	圆筒状蒸发源
申请号	CN201410063566.9	申请日期	2014-02-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-27	公开/公告号	CN104004997A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕 C23C14/32 爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法（C23C 14/34至C23C 14/48优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;2;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人	苏舍梅塔普拉斯有限责任公司	申请人地址	德国贝吉施－格拉德巴赫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔,欧瑞康梅塔普拉斯有限责任公司	当前权利人	欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔,欧瑞康梅塔普拉斯有限责任公司
发明人	J.维特;S.埃斯塞;J.米勒;G.埃肯斯
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	李涛;何逵游

摘要

本发明涉及一种圆筒状蒸发源（1），所述蒸发源在圆筒外壁（2）处包括待蒸发的靶材（3）以及第一磁场源（401）和第二磁场源（402），所述第一磁场源和所述第二磁场源形成磁体系统（400）的至少一部分并且被布置在用于产生磁场的圆筒状蒸发源（1）的内部中。在这一方面，第一磁场源（401）和第二磁场源（402）被设置在载体系统（500）处，从而使得磁场的形状和/或强度能够根据预先定义的计划被设置在预先定义的空间区域中。根据本发明，所述载体系统（500）被构造用于设置所述载体系统（500）的所述磁场的形状和/或强度，从而使得所述第一磁场源（401）被布置在第一载体臂（501）处且能够相对于第一枢转轴线（5011）枢转预先定义的第一枢转角度（α1）。

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