氮化镓基大功率芯片散热结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200920060270.6
IPC分类号：H01L33/00;H01S5/32;H01S5/024
申请日期：
2009-07-10
申请人：
东莞市福地电子材料有限公司

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著录项信息

专利名称	氮化镓基大功率芯片散热结构
申请号	CN200920060270.6	申请日期	2009-07-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;3;2;;;H;0;1;S;5;/;0;2;4查看分类表>
申请人	东莞市福地电子材料有限公司	申请人地址	广东省东莞市南城蛤地福地电子材料有限公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞市福地电子材料有限公司	当前权利人	东莞市福地电子材料有限公司
发明人	张珠文;袁富胜;李宏彦;王维昀
代理机构	东莞市华南专利商标事务所有限公司	代理人	梁永宏

摘要

本实用新型公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，涉及大功率芯片技术领域；本实用新型包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热金属层；本实用新型增加散热金属层，可将氮化镓基大功率芯片产生的热量快速散发出去，散热效果好，可延长芯片的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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