基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711483712.3
IPC分类号：G06F30/20;C30B23/02;C30B25/02
申请日期：
2017-12-29
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法
申请号	CN201711483712.3	申请日期	2017-12-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-29	公开/公告号	CN108229010A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/20	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;2;0;;;C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	朱嘉琦;王杨;代兵;舒国阳;姚凯丽;刘康;高鸽;赵继文;刘本建;杨磊;韩杰才
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	暂无

摘要

一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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