一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610228199.2
IPC分类号：H01L25/065
申请日期：
2016-04-13
申请人：
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所

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著录项信息

专利名称	一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法
申请号	CN201610228199.2	申请日期	2016-04-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-06	公开/公告号	CN105742277A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/065 包含在H01L 27/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;6;5查看分类表>
申请人	中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所	申请人地址	陕西省西安市雁塔区太白南路198号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所	当前权利人	中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
发明人	谢成民;怡磊;单光宝;刘松
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	李宏德

摘要

本发明一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其包括如下步骤，步骤1，确定单位存储芯片的数量；步骤2，在单位存储芯片四周增加TSV孔区域，并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致；步骤3，采用再分布互连线将单位存储器芯片的地址信号，数据信号，读写信号NEW和片选信号CS的端口与该单位存储器芯片上的TSV孔进行互连；步骤4，将所有的单位存储芯片依次堆叠在外围电路上，并将各单位存储器芯片中的数据信号、地址信号、读写使能信号NEW和输出使能信号NOE通过TSV孔互连短接，将各单位存储器芯片的片选信号分别连接到外围电路上；得到三维扩展的大容量立体集成SRAM存储器。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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