一种快速制备多元氧化物薄膜的激光化学气相沉积设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201610315784.6
IPC分类号：C23C16/48;C23C16/52;C23C16/40
申请日期：
2016-05-12
申请人：
武汉理工大学

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专利名称	一种快速制备多元氧化物薄膜的激光化学气相沉积设备
申请号	CN201610315784.6	申请日期	2016-05-12
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-09-07	公开/公告号	CN105925961A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/48 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/48 辐射法，例如光分解、辐射分解、粒子辐射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;8;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	涂溶;汪婷;章嵩;可望;张联盟
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	崔友明

摘要

本发明公开了一种快速制备多元氧化物薄膜的激光化学气相沉积设备，包括沉积腔体、进气装置和激光发生器，沉积腔体内设有工作台，沉积腔体上设有激光引入窗，激光发生器发射的激光透过激光引入窗照射到工作台上，进气装置包括进气管，进气管的出气端插入沉积腔体内，进气管的出气口设置于工作台上方，沉积腔体底部设有真空泵。沉积速度快，所得多元氧化薄膜的成分控制精确，实现多层膜的一次沉积。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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