基于黒硅的高性能MEMS热电堆红外探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210303746.0
IPC分类号：G01J5/12;B81C1/00
申请日期：
2012-08-23
申请人：
江苏物联网研究发展中心

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著录项信息

专利名称	基于黒硅的高性能MEMS热电堆红外探测器及其制备方法
申请号	CN201210303746.0	申请日期	2012-08-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-19	公开/公告号	CN102829880A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J5/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J5/00 辐射高温测定法 G01J5/10 用电辐射检测器 G01J5/12 用热电元件，例如热电偶	IPC分类号	G;0;1;J;5;/;1;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	江苏物联网研究发展中心	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号15幢328室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京中科微投资管理有限责任公司	当前权利人	北京中科微投资管理有限责任公司
发明人	毛海央;陈媛婧;欧文;明安杰
代理机构	无锡市大为专利商标事务所	代理人	殷红梅

摘要

本发明涉及一种基于黒硅的高性能MEMS热电红外探测器及其制备方法，其包括衬底；衬底上设有释放阻挡带，释放阻挡带内具有热隔离腔体，热隔离腔体的正上方设有黒硅红外吸收区，黒硅红外吸收区的外侧设有热电堆，黒硅红外吸收区外侧的热电堆相互串接后电连接成一体，相互串接的热电堆上设有用于将探测结果输出的金属电极；热电堆的探测冷端通过第一热导通电隔离结构与衬底相连，热传导体位于热隔离腔体的外侧；热电堆的探测热端通过第二热导通电隔离结构与黒硅红外吸收区相接触。本发明结构简单易于实现，便于单片集成，响应率及探测率高，与CMOS工艺兼容，适用范围广，安全可靠。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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