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半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200680008440.5
IPC分类号：H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14
申请日期：
2006-02-27
申请人：
旭硝子株式会社;AGC清美化学股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法
申请号	CN200680008440.5	申请日期	2006-02-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-12	公开/公告号	CN101142659
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;B;2;4;B;3;7;/;0;0;;;C;0;9;K;3;/;1;4查看分类表>
申请人	旭硝子株式会社;AGC清美化学股份有限公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	AGC清美化学股份有限公司,AGC株式会社	当前权利人	AGC清美化学股份有限公司,AGC株式会社
发明人	吉田伊织;金喜则
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	沙永生

摘要

本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面的情况下，可以在多晶硅膜和其它材料之间获得适合的研磨速度比，由此能够实现含多晶硅膜的被研磨面的高度平坦化的研磨技术。作为化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水且其pH在10～13的范围内的研磨剂。

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