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一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201721705708.2
  • IPC分类号:H01L31/0725;H01L31/18
  • 申请日期:
    2017-12-11
  • 申请人:
    晋能光伏技术有限责任公司
著录项信息
专利名称一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构
申请号CN201721705708.2申请日期2017-12-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0725
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;2;5;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人晋能光伏技术有限责任公司申请人地址
山西省晋中市榆次区晋中开发区迎宾西街和田商务楼908室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晋能光伏技术有限责任公司当前权利人晋能光伏技术有限责任公司
发明人白焱辉;李高非;王继磊;易治凯;黄金;张娟
代理机构镇江京科专利商标代理有限公司代理人夏哲华
摘要
本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层,上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层,下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下TOC层。采用上述的结构和方法后,由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层,使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能,由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下,提高了该掺杂非晶硅层的带隙,提高了光的利用率,从而了提高HJT电池的光电转换效率。

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