一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套

发明专利无效专利

申请号：
CN201010565417.4
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2010-11-30
申请人：
江苏华盛天龙光电设备股份有限公司

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专利名称	一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套
申请号	CN201010565417.4	申请日期	2010-11-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-13	公开/公告号	CN102011174A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	江苏华盛天龙光电设备股份有限公司	申请人地址	江苏省常州市金坛市华城路318号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏华盛天龙光电设备股份有限公司	当前权利人	江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
发明人	李留臣
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	罗笛

摘要

本发明公开了一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套，包括同轴设置的法兰一、内套筒和外套筒，法兰一的盘体上开有充气孔和环形凹槽一，内套筒固定在法兰一盘体的内部侧壁上，环形凹槽一与内套筒形成缓冲腔，且充气孔与缓冲腔相通，外套筒固定在法兰一的盘体下端面上且位于内套筒的外侧，且在外套筒和内套筒之间形成充气缝隙，充气缝隙与缓冲腔相通。本发明结构简单，设计合理，能提高系统的稳定性，并能有效地提高硅单晶的生长速度，提高生产效率，广泛适用于半导体硅单晶生长设备和其它单晶生长设备中。

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