混合同轴结构的半导体测试插座及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910914470.1
IPC分类号：G01R31/26;G01R31/12;G01R1/04
申请日期：
2019-09-25
申请人：
苏州韬盛电子科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	混合同轴结构的半导体测试插座及其制备方法
申请号	CN201910914470.1	申请日期	2019-09-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-24	公开/公告号	CN110726917A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;R;3;1;/;1;2;;;G;0;1;R;1;/;0;4查看分类表>
申请人	苏州韬盛电子科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区唯文路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州韬盛电子科技有限公司	当前权利人	苏州韬盛电子科技有限公司
发明人	施元军;殷岚勇;高宗英;刘凯;杨宗茂
代理机构	郑州裕晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	徐志威

摘要

本发明涉及一种混合同轴结构的半导体测试插座及其制备方法，测试插座包括测试插座定位板、绝缘测试插座母体、嵌入式导电插座母体、嵌入式导电插座盖板和绝缘测试插座盖板，所述测试插座定位板、绝缘测试插座母体和绝缘测试插座盖板从上到下依次顺序设置，所述绝缘测试插座母体上设置槽口，该槽口内设置嵌入式导电插座母体和嵌入式导电插座盖板。本发明利用导电金属制作的同轴结构可以达到较好的通道之间的隔离度，大大减少了测试插座的制作成本和生产周期，同时高频信号部分可以达到‑1dB/40GHz的插损和‑10dB/40GHz的回损，通道和通道之间的隔离度高过‑40dB/20GHz。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供