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半导体模块及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910037329.8
IPC分类号：H01L21/48;H01L23/049;H01L23/10;H01L23/24;H01L25/16
申请日期：
2019-01-15
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体模块及其制造方法
申请号	CN201910037329.8	申请日期	2019-01-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-23	公开/公告号	CN110047761A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;0;4;9;;;H;0;1;L;2;3;/;1;0;;;H;0;1;L;2;3;/;2;4;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国诺伊比贝尔格变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	G·伦加拉詹·特里奇;S·米查尔斯基
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	郑立柱;崔卿虎

摘要

本公开提供了半导体模块及其制造方法。一种用于制造功率半导体模块装置的方法包括通过在壳体内的第一表面上沉积无机填料来形成预层，其中无机填料对于腐蚀性气体是不可渗透的。该方法进一步包括向壳体中填充浇铸材料，从而利用浇铸材料填充预层的无机填料中存在的任何空间，以及硬化浇铸材料，从而形成第一层。

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