著录项信息
专利名称 | 光电板及其制造方法 |
申请号 | CN85108403 | 申请日期 | 1985-10-10 |
法律状态 | 实质审查 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 1986-05-10 | 公开/公告号 | CN85108403 |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | 暂无 | IPC分类号 | 暂无查看分类表>
|
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 申请人地址 | 日本国东京都
变更
专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效 |
权利人 | 株式会社半导体能源研究所 | 当前权利人 | 株式会社半导体能源研究所 |
发明人 | 山崎舜平 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 杨晓光 |
摘要
光电板包括:作为显示板的液晶显示器件和作为写入板的光探测器件,其中液晶显示器件和光探测器件做在一个公共衬底上,因此显示板与写入板的功能可在同一块板上实现。
1 .光电扳包括一个作为显示扳的液晶显示器件和一个作为写入 板的光探测器件,其中,液晶显示器件和光探测器件做在第一公共衬 底上•液晶显示器件至少有一个液晶显示单元和在电学上与其串联的 第一非线性元件,光探测器件至少具有一个光二极营;其特征在于, 第一非线性元件是具有第一非单晶半导体迭层部件飴第一非单晶半导 体二极管,它用于给液晶单元加驱动信号,光二极瞀是具有第二非单 晶半导体迭层部件的第二非单晶半导体二极管,它用于产生对应光强 的探测信号,液晶显示器件和光探测器件并-排做在第一衬底上,液晶 显示器件的一个电极是由与第一衬底相对的位于液晶单元另一侧第二 衬底上的对向电极构成.
2.根据权利要求1所述光电板,其特征在于其中第二非单晶半 导体迭层部件与第一非单晶半导体迭层部件结构相同;第一衬底是透 明的;液晶单元和液晶显示器件的第一非单晶半导体二极管并排做在 透明第一衬底上;液晶单元的一个电极是由透明衬底上所形成的第一 透明导电层的第一区域形成的;其中第一非单晶半导体二极管的一个 电极至少是由第一透明导电层的一个第二区域形成的;其中第二非单 晶半导体二极瞀的一个电极是由在透明第一衬底上所形成的第二透明 导电层形成的.
3.根据权利要求2所述光电板,其特征在于其中第一非单晶半 导体二极管的第一非单晶半导体迭层部件和第二非单晶半导体二极督 的第二非单晶半导体迭层部件是分别由第一和第二非单晶半导体二极 管电极上连续延展的非单晶半导体迭层部件的第一和第二区域形成
的;第一和第二非单晶半导体二极螫的另一电极是分别由第三非单晶 半导体迭层上连续延展的第三导电层的第一和第二区域形成的-
4.根据权利要求1所述光电扳,其特征在于其中光探测器件还有 在电学上与所说光二极管串联瓰第二非线性元件,第二非线性元件是 与第一非单晶半导体迭层部件结构相同放第三非单晶半导体迭层部件; 第一衬底是透明的;液晶单元和液晶显示器件的第一非单晶半导体二 极眢在透明衬底上并排形成;其中第三非单晶半导体迭层部件在第二 非单晶半导体迭层部件上形成;其中液晶单元的一个电极由在透明衬 底上形成的第一透明导电层的第一区域形成;其中第一非单晶半导体 二极管的一个电极由至少第一透明导电层的第二区域形成;其中第二 •晶半导体二极管的一个电极由在透明第一衬底上形成的第二透明 导电层形成-
5.根据权利要求4所述光电板,其特征在于其中第一非单晶半 导体二极瞀的第一非单晶半导体迭层部件和第三非单晶半导体二极瞀 的第三非单晶半导体迭层部件分别由在第一非单晶半导体二极瞀的电 极和第二非卑晶半导体迭层上连续延展的非单晶半导体迭层部件的第 一和第二区域形成;其中第一##晶半导体二极昝的另一电极和第三 非单晶半导体二极昝的一个电极分别由在第三个非单晶半导体迭层部 件上连续延展故第三导电层的第一和第二区域形成.
6.制作光电扳的方法,其特征在于包括这些步骤:
(a )、通过在具有绝缘表面的第一衬底上形成以矩阵形式排列 的具有第一和第二区域的第一导电层,以及在第一导电层列之间纵向 延展的第二导电层而形成第一衬底部件i
(b ) 在第一衬底部件上•形成在第一导电层的第一区域和第
二导电层上连续延展的非单晶半导体迭层部件,它可以是H(或P) —U (或 P)—2f (或P)、N(或:P)一:N(或P)一;N(或P)、 N (或 P)—i—P (或U)—i—:N (或P)、;P (或:H>—i — U(或P)结构;
(c ) 彤成在非单晶半导体迭层部件上连续延展的,且与第一 导电层的第一区域和第二导电层对置着飴第三导电层;
(d) 通过在具有绝缘表面的第二衬底上形成对置于第一导电 层的第二区域的第四导电层从而形成第二衬底部件;
(e) 将第一和第二衬底部件相互平行安置;
(f )在由第一和第二衬底部件限定的空隙间充入液晶.
7.制作光电板的方法,其特征在于包括这些步骤:
(a)通过在具有绝缘表面的第一衬底上形成具有第一和第二 区域以矩阵形式排列的第一导电层以及在第一导电层列之间纵向延 展的第二导电层,从而形成第一衬底部件;
(b)在第一衬底部件上形成在第二导电层上延展而不在第一 导电层上延展的第一非单晶半导体迭层部件;它可以是U (或P )— N (或 P)—U (或:P)、或P) —P (或N)—U (或;P)、
五(或 P)—i—P (或 N)—i—N (或 P)、P (或 N)—i — 及(或P)的结构;
(o) 在第一衬底部件上形成在第一导电层的第一区域和第一 非单晶半导体迭层部件上连续延展的第二非单晶半导体迭层部件,它 可以是N f或P )—i —丑(或P )、五(或P )—N (或;P)—U (或 P )、;N (或 P )—P (或;N )—(或 P ) •或 N(或 P )— i—P (或:U ) - i -U (或P )的结构;
(d )形成在第二非单晶半导体迭层部件上连续延展的,且与 第一导电层的第一区域和第二导电层对置着的第三导电层;
(e) 通过在具有绝缘表面的第二衬底上形成符合于第一导电 层的第二区域的第四导电层从而形成第二衬底部件;
(f) 将第一和第二衬底部件相互平行安置;
(S) 在由第一和第二衬底部件限定的空隙间充入液晶.
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有引用任何外部专利数据! |
被引用专利(该专利被哪些专利引用)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有被任何外部专利所引用! |