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一种提高硅芯母料利用率的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410272047.3
IPC分类号：C30B13/00;C30B29/06
申请日期：
2014-06-18
申请人：
四川永祥多晶硅有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种提高硅芯母料利用率的方法
申请号	CN201410272047.3	申请日期	2014-06-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-27	公开/公告号	CN105274616A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	四川永祥多晶硅有限公司	申请人地址	四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川永祥多晶硅有限公司	当前权利人	四川永祥多晶硅有限公司
发明人	冯德志;李斌;李川;甘居富;朱彬
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	邹翠

摘要

本发明为了解决拉制过程中硅芯母料浪费大的问题，提供了一种提高硅芯母料利用率的方法。其特征在于：将切割好的硅芯母料的一端与棒料的一端连接，棒料的另一端装夹于硅芯炉的料座中，再对硅芯母料进行拉制。通过在硅芯母料下端粘接一段棒料来代替尾料，从而让料座与线圈保持一定距离，有效的保护了料座。提高了硅芯母料的利用率，使得硅芯的成本大幅下降。

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