分离栅极式闪存的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01110212.8
IPC分类号：--
申请日期：
2001-04-02
申请人：
华邦电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	分离栅极式闪存的制造方法
申请号	CN01110212.8	申请日期	2001-04-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2002-11-06	公开/公告号	CN1378268
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	华邦电子股份有限公司	申请人地址	台湾新竹科学工业园区研新三路四号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华邦电子股份有限公司	当前权利人	华邦电子股份有限公司
发明人	黄智睦;蔡荣昱;任兴华;林淑惠
代理机构	北京集佳专利商标事务所	代理人	王学强

摘要

一种分离栅极式闪存的制造方法,在基底上依序形成穿隧氧化物层、第一导电层与硬罩幕层,在硬罩幕上形成漏极开口与浮置栅开口,暴露第一导电层;在第一导电层上形成二复－氧化物层,去除一层及第一导电层,露出基底;在基底上形成漏极区,去除硬罩幕,以第二复－氧化物为罩幕蚀刻第一导电层形成浮置栅,再形成分离栅极氧化物层,第二复－氧化物层上形成导电层,在该导电层上形成控制栅,在浮置栅侧的基底形成源极区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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