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微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010004587.5
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2005-06-02
  • 申请人:
    卡尔蔡司SMT股份公司
著录项信息
专利名称微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统
申请号CN201010004587.5申请日期2005-06-02
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-09-15公开/公告号CN101833247A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人卡尔蔡司SMT股份公司申请人地址
德国上科亨 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人卡尔蔡司SMT有限责任公司当前权利人卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人M·门格尔;U·维格曼;A·厄尔曼;W·埃默;R·克莱门特;L·马蒂杰森
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人邱军
摘要
一种用于微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统,所述投影物镜被配置为将设置于所述投影物镜的物面中的图案成像到所述投影物镜的像面上,所述投影物镜被设计为浸没物镜,用于借助设置在所述投影物镜的物侧和像侧的至少一个上的浸液进行成像;其特征在于所述测量系统包括:至少一个具有测量结构的结构载体,该结构载体被设置在浸液区域中,给该结构载体分配一个保护系统,以提高测量结构对由浸液导致的降解的抵抗力。因此,在浸液条件下的浸液系统的测量在测量精确度方面,可能不受浸液的有害影响。

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