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用于局部接触半导体元件的基于激光的方法和加工台

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201380052669.9
  • IPC分类号:H01L31/0224
  • 申请日期:
    2013-08-02
  • 申请人:
    弗朗霍夫应用科学研究促进协会
著录项信息
专利名称用于局部接触半导体元件的基于激光的方法和加工台
申请号CN201380052669.9申请日期2013-08-02
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2015-06-24公开/公告号CN104737300A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0224IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人弗朗霍夫应用科学研究促进协会申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人弗朗霍夫应用科学研究促进协会当前权利人弗朗霍夫应用科学研究促进协会
发明人J·纳卡尔达;A·罗德费里;A·布兰德;M·格拉夫;R·普罗伊
代理机构北京市中咨律师事务所代理人吴鹏;马江立
摘要
本发明涉及一种用于局部接触半导体元件的方法,所述半导体元件是光伏太阳能电池的一部分或在光伏太阳能电池制造过程中的前体的一部分,所述方法包括下面的方法步骤:A在半导体元件的一侧上施加至少一个金属层,B通过以下方式局部加热至少金属层:在局部区域中实现短时熔化至少金属层。重要的是,将金属箔用作金属层,在方法步骤B之后在方法步骤C中去除金属箔的未熔化区域。本发明还涉及一种用于实施这种方法的加工台。

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