单基岛埋入型单圈多芯片正装无源器件静电释放圈封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220204397.2
IPC分类号：H01L23/495;H01L23/31
申请日期：
2012-05-09
申请人：
江苏长电科技股份有限公司

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专利名称	单基岛埋入型单圈多芯片正装无源器件静电释放圈封装结构
申请号	CN201220204397.2	申请日期	2012-05-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/495 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/495 引线框架的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	江苏长电科技股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏长电科技股份有限公司	当前权利人	江苏长电科技股份有限公司
发明人	王新潮;李维平;梁志忠
代理机构	江阴市同盛专利事务所	代理人	唐纫兰

摘要

本实用新型涉及一种单基岛埋入型单圈多芯片正装无源器件静电释放圈封装结构，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有芯片（4），所述芯片正面与引脚正面之间及芯片之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）周围区域以及芯片和金属线外均包封有塑封料（6），所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔（7），所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔（7）内设置有金属球（9），所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈（10），所述引脚与引脚之间跨接有无源器件（11）。本实用新型的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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