一种宽工作温度范围多层陶瓷电容器介质材料及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510789860.2
IPC分类号：H01G4/12;C04B35/468;C04B35/622
申请日期：
2015-11-17
申请人：
天津大学

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专利名称	一种宽工作温度范围多层陶瓷电容器介质材料及制备方法
申请号	CN201510789860.2	申请日期	2015-11-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-30	公开/公告号	CN105439556A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G4/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G4/00 固定电容器；及其制造方法（电解电容器入H01G 9/00）〔2〕 H01G4/002 零部件〔6〕 H01G4/018 电介质〔6〕 H01G4/06 固体电介质〔2，6〕 H01G4/08 无机电介质〔2，6〕 H01G4/12 陶瓷电介质〔2，6〕	IPC分类号	H;0;1;G;4;/;1;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;6;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	李玲霞;张博文;陈俊晓
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	张宏祥

摘要

本发明公开了一种宽工作温度范围多层陶瓷电容器介质材料，其原料组成及摩尔比为BaTiO3：Bi(Zn3/4Mo1/4)O3＝(1‑x)：x，其中0.25≤x≤0.3；所述Bi(Zn3/4Mo1/4)O3的原料组成及摩尔比为Bi2O3：ZnO：MoO3＝1:3/2:1/2；先将ZnO、Bi2O3、MoO3混合球磨，于850℃预烧，制得Bi(Zn3/4Mo1/4)O3固体颗粒，再二次球磨；以BaTiO3为基，添加Bi(Zn3/4Mo1/4)O3粉末，进行配料，(1‑x)BaTiO3和x Bi(Zn3/4Mo1/4)O3，0.25≤x≤0.3；再外加石蜡进行造粒，然后压制成生坯；生坯使用埋料的方式，经1200℃～1275℃烧结，制得多层陶瓷电容器介质材料。本发明在‑20℃～400℃整个工作温区内介电损耗能够保持tanδ≤0.07，具有较高介电常数εr≥700±15％和优异的绝缘性能ρV≥1011Ω·cm；制备工艺简洁，获得粉体组分均一，制备过程无污染。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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