镓、铟、或铝掺杂单晶硅

发明专利有效专利

申请号：
CN201180053157.5
IPC分类号：C30B15/04;C30B29/06
申请日期：
2011-09-01
申请人：
GT高级锆石有限责任公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	镓、铟、或铝掺杂单晶硅
申请号	CN201180053157.5	申请日期	2011-09-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-08-14	公开/公告号	CN103249875A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/02 向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的〔3〕 C30B15/04 添加掺杂材料，例如用于n-p结的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	GT高级锆石有限责任公司	申请人地址	美国新罕布什尔州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	GTATIP控股有限责任公司,GTAT,IP控股有限责任公司	当前权利人	GTATIP控股有限责任公司,GTAT,IP控股有限责任公司
发明人	J·P·德卢卡;F·S·德尔克;B·K·约翰逊;W·L·卢特尔;N·D·米登多夫;D·S·威廉姆斯;N·P·奥斯特罗姆;J·N·海菲尔
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本发明揭露一种掺杂单晶硅，具有沿着纵向轴及/或径向轴少于10%的电阻率改变，以及用在制备一个或一系列连续掺杂硅晶体的方法。该方法包含提供一种含有硅的熔化物材料到连续柴克劳司基晶体成长装置、传送掺杂物(如镓、铟、或铝)到该熔化物材料、当该熔化物材料处于熔融态的时候提供种晶到该熔化物材料中、并通过将该种晶从该熔化物材料中抽出成长掺杂单晶硅。在该成长步骤期间提供额外的熔化物材料至该装置。本发明并揭露一种掺杂模型，用来计算将在一个或多个掺杂事件中被传送到该熔化物材料掺杂物的总量、传送该掺杂物的方法、以及用在传送该掺杂物的导管及容器。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供