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一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410095131.2
  • IPC分类号:H01L23/28;H01L21/56
  • 申请日期:
    2014-03-14
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法
申请号CN201410095131.2申请日期2014-03-14
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103871976A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/28IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人亢心洁;王会武;应利良;高波;谢晓明
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人潘振甦
摘要
本发明涉及一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法,其特征在于所述改进的封装结构是在底板(2)上放置中间层(4),将顶层盖板(1)放置于中间层(4)的上面;所述的中间层由内壁和外壁两部分构成,内壁和外壁之间形成一个槽形结构,槽形结构与顶层盖板和底板密封封闭在一起。在内壁上制作有均匀的小孔,中间层的内壁和外壁之间的槽形结构通过内壁的小孔的孔洞与器件封装的空间相通。槽形结构的内部填充活性吸附物质。由于中间层增加了槽形结构,虽对高温SQUID器封装器件体积影响不大,但与现有没有填充活性吸附物质的封装结构相比,显示出降低水分与芯片接触几率方面有很大优势,延长了HTS?SQUID器件的使用寿命。

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