增大测试信号频率的方法以及测试信号产生设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201210313047.4
IPC分类号：G01R31/28;G01R1/28
申请日期：
2012-08-29
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	增大测试信号频率的方法以及测试信号产生设备
申请号	CN201210313047.4	申请日期	2012-08-29
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-11-28	公开/公告号	CN102798814A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/28 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/28 电路的测试，例如用信号故障寻测器（在准备运算或空闲时间期间内测试计算机入G06F11/22）	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;8;;;G;0;1;R;1;/;2;8查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	王磊
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提供了一种增大测试信号频率的方法以及测试信号产生设备。根据本发明的增大测试信号频率的方法包括：第一步骤：利用测试机的第一输出通道来产生第一初始测试信号；第二步骤：利用测试机的第二输出通道来产生第二初始测试信号，其中，所述第一初始测试信号的高电平的持续期处于所述第二初始测试信号的低电平的持续期内，并且所述第二初始测试信号的高电平的持续期处于所述第一初始测试信号的低电平的持续期内；初始测试信号组合步骤：将所述第一初始测试信号和所述第二初始测试信号组合以产生最终测试信号，其中，当所述第一初始测试信号和所述第二初始测试信号之一为高电平时，在相应持续期内最终测试信号为高电平。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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