利用半导体材料的用于薄膜光生伏打材料的方法和结构

发明专利无效专利

申请号：
CN200780009129.7
IPC分类号：B32B5/16
申请日期：
2007-05-15
申请人：
思阳公司

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著录项信息

专利名称	利用半导体材料的用于薄膜光生伏打材料的方法和结构
申请号	CN200780009129.7	申请日期	2007-05-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-01	公开/公告号	CN101400512
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B32B5/16 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B32 层状产品 B32B 层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品 B32B5/00 以非同质性或物理结构薄层为特征的层状产品（B32B 9/00至B32B 29/00优先） B32B5/16 以由颗粒、如碎屑、斩碎的纤维、粉末构成的薄层特性为特征的	IPC分类号	B;3;2;B;5;/;1;6查看分类表>
申请人	思阳公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	发展专家公司,思阳公司	当前权利人	发展专家公司,思阳公司
发明人	霍华德·W·H·李
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	章社杲;张英

摘要

本文公开了一种光生伏打器件和相关方法。该器件具有一种放置于电子接收电极和空穴接收电极之间的纳米结构化材料。在接受电极和纳米结构化材料之间放置电子传输/空穴闭锁材料。在一个具体的实施方式中，通过纳米结构化材料的光学吸收产生的带负电的载流子，优先分离进入电子传输/空穴闭锁材料。在一个具体实施方式中，纳米结构化材料对于由在约400nm至约700nm范围内的波长组成光的光学吸收系数为至少103cm-1。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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